Siapa sangka Intel, yang sudah lama absen dari bisnis DRAM, tiba-tiba kembali dengan inovasi yang mengejutkan? Di ajang Intel Connection Japan 2026, Tim Biru resmi memamerkan prototipe fisik dari teknologi memori terbaru mereka yang diberi nama Z-Angle Memory (ZAM).
Langkah berani ini disebut-sebut sebagai upaya serius Intel untuk mendobrak dominasi High Bandwidth Memory (HBM) yang saat ini merajai pasar computing tingkat tinggi dan AI. Bekerja sama dengan Saimemory (anak perusahaan SoftBank), Intel menghadirkan solusi cerdas untuk masalah klasik pada hardware: panas dan boros daya.
Rahasia Arsitektur “Diagonal” ZAM
Apa yang membuat ZAM begitu spesial? Sesuai namanya, teknologi ini menggunakan arsitektur Z-Angle. Jika memori konvensional biasanya menumpuk koneksi secara vertikal lurus ke bawah (seperti mengebor tanah), ZAM menggunakan topologi interkoneksi yang menyilang atau diagonal.
Terdengar sangat teknis? Sederhananya, desain “miring” ini memungkinkan sirkulasi panas yang jauh lebih efisien. Intel mengklaim metode ini ampuh mengatasi bottleneck termal yang sering menghantui performa memori berkecepatan tinggi saat ini.
Hemat Daya, Kapasitas Raksasa
Dalam presentasi yang dihadiri oleh CTO Intel Joshua Fryman dan CEO Intel Jepang Makoto Onho, data performa yang dipaparkan sangat menggiurkan. ZAM diklaim mampu menghemat konsumsi daya hingga 40-50% dibandingkan solusi memori yang ada sekarang.
Tidak hanya irit, kapasitasnya pun monster! Satu chip ZAM digadang-gadang bisa menampung data hingga 512 GB. Ini adalah lompatan masif yang sangat dibutuhkan, baik untuk rig gaming masa depan maupun pengolahan data AI yang semakin berat.
Meskipun saat ini peran Intel lebih fokus pada investasi awal dan arah strategis, kehadiran prototipe fisik ini membuktikan bahwa ZAM bukan sekadar teori di atas kertas. Apakah ini awal dari era baru memori yang lebih dingin dan kencang? Kita tunggu implementasinya di pasar!
